碲镉汞超品格材料制备工艺的剖析

来源 :红外研究(A辑) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqy2002
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超晶格材料具有相应的合金系统所不具备的独特的光电特性、其性质取决于组成超晶格的材料组分和周期性厚度。分子束外延(MBE)和激光辅助淀积与退火技术(LADA)是两种现实的碲镉汞超晶格生长技术。外延生长EgTe/CdTe超晶格系统时必须考虑下列特殊 Superlattice materials have the unique optoelectronic properties that the corresponding alloy system does not have, the nature of which depends on the material composition and the periodic thickness of the superlattice. Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Laser Assisted Deposition and Annealing (LADA) are two realistic techniques for the growth of HgCdTe superlattices. The following special considerations must be taken when epitaxially growing an EgTe / CdTe superlattice system
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