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本文介绍了VDMOS场效应晶体管结构设计中一般需要考虑的问题,着重叙述了元胞和终端结构设计。实际设计了耐压200V,电流17A,导通电阻0.18Ω的VDMOS产品,试制结果说明设计是可行的。
VDMOS场效应晶体管结构设计
【摘 要】
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本文介绍了VDMOS场效应晶体管结构设计中一般需要考虑的问题,着重叙述了元胞和终端结构设计。实际设计了耐压200V,电流17A,导通电阻0.18Ω的VDMOS产品,试制结果说明设计是可
【机 构】
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西安卫光科技有限公司
【出 处】
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知识经济
【发表日期】
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2010年20期
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