场限环相关论文
近年来,半导体分立器件的设计技术、加工工艺、材料等不断取得新的突破,作为第三代电力电子半导体代表产品,IGBT(绝缘栅双极晶体管......
压接式IGBT因其通流容量大、便于串联、失效短路等优点,在不断推广的柔性直流输电领域中逐渐取代传统焊接式IGBT。在这样的高压应......
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完......
为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光......
场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基......
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的一个重要参数指标，阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例，对IGBT的场限......
为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P＋-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管（JBS）,终端结构由7道场......
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点，讨论单场限环结构表面电场强度的分布，给出表面电场强度、主结及环结分担......
为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上，使其反向击穿电压提高到了300V以上，我们采用硅材料做为衬底，肖特基......
场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术，文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐......
通过优化设计和充分利用硅片面积,研制出了场限环的平面高压半导体分立器件....
功率MOSFET是应用非常广泛的半导体器件之一,其中垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET)主要应用在高电压低电流场合。反向击穿电压是......
大功率深结器件通常采用台面磨角技术和横向变掺杂(VLD)技术来提高其终端击穿电压,但由于VLD掺杂剖面难以精确控制并且对表面电荷......
场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟......
通过一系列的工艺步骤，在半导体功率器件含有场限环（FLR）的结终端上覆盖了一层300nm厚、介电常数高的钛酸锶钡（BST）膜。对该新型结终端......
击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击......
针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N＋偏移区......
本文推出了具有场限环的平面n+-p结的电场与电位分布的简单理论公式。此理论系根据泊松方程的圆柱对称解结合场限环的边界条件得来......
采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环......
功率变换用智能功率集成电路SPIC(Smart Power IC)是一种将功率器件与低压逻辑控制电路集成及相关的驱动保护电路集成在一块芯片上......
结势垒控制肖特基整流管是一种新型的肖特基整流管,它借鉴了PN结管和肖特基整流管的优点,可制作成高反压、大电流、抗浪涌电流强及......
采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维......
为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多......
为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构。在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结......
主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低......
本文对日益广泛采用的各种平面终端技术作用原理、设计方法及目前的发展水平作了较系统的介绍,并简要地比较了它们的优缺点、适用......
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR’s)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(......
对常用的场限环（FLR）和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O ......
基于实际生产需求,通过软件仿真对一种新型高压功率器件的终端结构进行了优化设计,并制备了性能良好的器件。使用TCAD软件对新型终......
第三代宽禁带半导体SiC材料因具有良好的电学和物理特性而被广泛地研究和应用。和传统的Si、Ge相比,高的临界击穿电场和更高的热导......
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面......
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对......
在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖......
为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
以第三代宽禁带半导体碳化硅(silicon carbide,SiC)材料为衬底而制作成的PiN功率二极管器件,因其高击穿电压、高开关速度以及低正......
本文介绍了VDMOS场效应晶体管结构设计中一般需要考虑的问题,着重叙述了元胞和终端结构设计。实际设计了耐压200V,电流17A,导通电......
鉴于终端设计在功率晶体管设计中的重要地位,本文主要对目前广泛应用的终端结构的研究,探讨它们的优缺点。结合本公司特有的半绝缘......
学位
在硅基功率开关器件性能难以获得大幅优化的背景下,碳化硅(SiC)材料以其导热性能佳、电子饱和漂移速度快、电压阻断能力强以及抗辐......
碳化硅(SiC)器件由于具有高压大电流、高频低功耗等优势,显著推动了电力设备高效低能耗及轻量小型化的发展,从而备受关注。尤其在......
本文的研究对象是耐压为200V的PMOS产品的终端设计。首先介绍常用终端技术的基本理论,制订出终端结构的初步设计方案,然后结合计算......
分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情况下场限环结构的电场分......
期刊
