利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenshuae5b

【摘要】

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【作者】

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姜文龙丁桂英王静汪津王立忠韩强刘式墉

【机构】

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吉林师范大学信息技术学院,吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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2006年6期

【关键词】

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有机白光器件空穴阻挡特性 DPVBI organic white devices hole block characters DPVBi

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介绍了结构为：ITO／m-MTDATA（40nm）／NPB（5nm）／DPVBi（10～12nm）／Rubrene（0．5nm）／DPVBi（20～18nm）／Alq（50nm）／LiF（0．5nm）／Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层，这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性，有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光、Alq的绿光和Rubrene的黄光，从而使器件发射性能较好的白光。当第一层的DPVBi和第二层的DPVBi的厚度分别是11nm和19nm时，其

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