晶向对SnO2：F透明导电玻璃特性的影响

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【摘要】

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本文利用超声喷雾法制备了SnO2：F透明导电薄膜，SnCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂，玻璃衬底温度控制在360℃。X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分

【作者】

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羊亿罗友良刘敏何胜黄芳黄素梅

【机构】

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湖南师范大学物理与信息科学学院,华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

SnO2:F 超声喷雾法择优取向透光率面电阻 SnO2 F Ultrasonic Spray Pyrolysis Process Preferred

【基金项目】

：

AcknowledgmentsThis work was supported the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars,State Education Ministry, and by Foundations of Pujiang Talented Person Plans （No.

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本文利用超声喷雾法制备了SnO2：F透明导电薄膜，SnCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂，玻璃衬底温度控制在360℃。X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分别用于表征样品的晶体结构、表面形貌、透光率与面电阻。研究结果表明：超声喷雾沉积的SnO2：F薄膜主要为四方晶系的多晶薄膜，并且随着沉积条件的改变，在（110）、（220）晶向出现不同程度的择优取向，其中在（200）晶向上择优取向生长的薄膜面电阻明显低于（110）晶向，最低可达到5Ω／□，所有样品透光率都较高，在45

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