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文章对MOS管的变容特性结合现有的文献作了简要分析,以0.25μm工艺的INMOS的变容特性作了深入分析,并利用Hspice进行了仿真,对MOS管的变容特性作了深入讨论.并针对VCO电路对MOS的变容区间提出一些合理的建议.
基于0.25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟
【摘 要】
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文章对MOS管的变容特性结合现有的文献作了简要分析,以0.25μm工艺的INMOS的变容特性作了深入分析,并利用Hspice进行了仿真,对MOS管的变容特性作了深入讨论.并针对VCO电路对M
【出 处】
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中国西部科技
【发表日期】
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2004年期
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