【摘 要】
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本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
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本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层.刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大.减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低.
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