【摘 要】
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虽然高能(能量从0.5MeV到12MeV)电子束辐照对晶体二极管反向恢复时间的影响已有研究,但低能(能量在20KeV以下)电子束辐照对晶体管开关时间的影响却迄今末见文献报道。1983年
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虽然高能(能量从0.5MeV到12MeV)电子束辐照对晶体二极管反向恢复时间的影响已有研究,但低能(能量在20KeV以下)电子束辐照对晶体管开关时间的影响却迄今末见文献报道。1983年,我们电子束退火工艺试验小组与湘潭半导体厂器件车间协作,试验了低能电子束辐照对晶体三极管开关时间的影响,并开展了热稳定性的研究。
Although the influence of high energy (energy from 0.5 MeV to 12 MeV) electron beam irradiation on the recovery time of the crystal diode has been studied, the influence of electron beam irradiation with low energy (energy below 20 KeV) on the switching time of the transistor has hitherto been lacking Reported. In 1983, our e-beam annealing process team and the Xiangtan Semiconductor Plant Device Workshop collaborated to test the effects of low-energy electron beam irradiation on the transistor switching time and carried out thermal stability studies.
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