论文部分内容阅读
用背散射光强研究了多重散射随机介质中隐藏物体位置的确定,由强度的分布曲线确定出隐藏物体的位置,并实验研究了隐藏物体在多重散射随机介质中不同深度下的强度分布。
长余辉发光材料的余辉性能取决于材料内部的陷阱能级,利用不同深度的陷阱对电子或空穴的捕获能力差别,可实现对余辉的调制。热释光对半导体中杂质和晶格缺陷所形成的局域能级非常敏感,是长余辉材料陷阱分布分析中一种有力的工具。通过测量长余辉发光材料的热释光谱,并采用合适的光谱曲线分析方法可以量化分析长余辉发光材料中的陷阱能级的深度和浓度分布等参数。但目前还缺乏一种公认的标准方法来衡量陷阱的深度和浓度等性质。在介绍热释光和热释曲线测定基本原理的基础上,回顾分析了不同动力学模型的峰形特点和适用条件,总结热释曲线的分