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设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mmGaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm^2(3.5mm×5.5mm).在32.5~35.5GHz的频率范围内,小信号线性增益大于16dB,带内平均1dB增益压缩点输出功率为29.8dBm,最大饱和输出功率为31dBm.