【摘 要】
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NEC最近开发了高性能0.15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下:(l)采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi,实现了栅宽为0.Zap而阈值电压仍不低下的NMOS]?IC:l?。(2)采用阻挡层低的Cthe实现了比
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NEC最近开发了高性能0.15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下:(l)采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi,实现了栅宽为0.Zap而阈值电压仍不低下的NMOS]?IC:l?。(2)采用阻挡层低的Cthe实现了比钛硅化物还低10%的接触电阻,晶体管的导通电阻低至10%。结果,试制的环形振
NEC recently developed the high-performance 0.15W state-of-the-art logic CMOS technology. Its features are as follows: (l) The newly developed ffi with side-wall boron ion implantation achieves a gate width of zero. Zap and the threshold voltage is not low under the NMOS]? IC: l? . (2) Cthe with a low barrier layer achieves a contact resistance that is 10% lower than that of titanium silicide, and the on-resistance of the transistor is as low as 10%. As a result, trial-produced ring vibration
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