【摘 要】
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利用平面工艺和二氧化硅层掩膜区域扩散,在同一衬底上,形成十个独立的P—n结光电二极管,从而得到线列阵器件。其光谱响应范围为0.38～1.1μm,在λ=0.9μm处,R_e=0.5μA/μW,I_D
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利用平面工艺和二氧化硅层掩膜区域扩散,在同一衬底上,形成十个独立的P—n结光电二极管,从而得到线列阵器件。其光谱响应范围为0.38～1.1μm,在λ=0.9μm处,R_e=0.5μA/μW,I_D<20nA(-15V)。
Using planar processes and diffusion of the silicon layer mask area, ten individual P-n junction photodiodes are formed on the same substrate, resulting in a line array device. The spectral response range of 0.38 ~ 1.1μm, at λ = 0.9μm, R_e = 0.5μA / μW, I_D <20nA (-15V).
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