【摘 要】
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报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室
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报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。
It is reported that silicon-based luminescent materials are co-implanted with SiO2 thin films with superposition energy of Si + and N +. Si +, N + successively into the SiO2 film, and overlap in the substrate. Very strong UV (~ 340nm) and violet (~ 427nm) photoluminescence (PL) were observed under UV excitation after sample annealing. Photoluminescence excitation (PLE) spectra were also studied and the mechanism of luminescence was discussed.
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