【摘 要】
：
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄
【机 构】
：
海南师范大学物理与电子工程学院,中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
：
国家自然科学基金重点（50632060）,海南师范大学博士基金（002030204）资助项目
论文部分内容阅读
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度（分别为410,430,450,470℃）,且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学（LO）声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓
其他文献
寻找新光源，特别是利用参数X射线辐射（PXR）、沟道辐射（CR）或晶体摆动场辐射（CUR）作为新的光源引起了人们极大关注。要成功获得这些新光源，粒子运动必须是稳定的。但是，由于辐射衰减、
采用溶胶-凝胶技术,在Si（110）衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明：Zn1-
合成了一种新型的有机电致发光材料水杨醛缩乙二胺锌[Zn（salen）]，并对其结构与性能进行了表征。Zn（salen）具有较高的热稳定性，利用真空热蒸镀的方法很容易制备高质量、无定型薄膜。
采用了放射性同位素氚在衰变过程中放射出β粒子激活发光材料发光的原理。因β粒子平均自由程只有4.3mm,灯型选择直径应在4～8mm之间。通过实验比对,确定常用的发光材料为：发红
研究了不同粒度的YAG∶Ce^3＋发光粉对LED亮度的影响,结果显示：粒度越大,封装后LED亮度越高;造成这种结果的主要原因是发光粉颗粒的晶格完整性不同。计算了发光粉在硅胶中的沉降
以不同方块电阻的ITO作为阳极，利用真空热蒸发的方法制备了双层结构有机电致发光器件ITO／TPD／Alq3／LiF／A1，定量研究了ITO阳极电阻对器件光电性能的影响。实验结果表明，具有较大阳极
合成了两种以钙为中心金属离子的有机电致发光材料2-（2-羟基苯基）苯并噻唑钙Ca（BTZ）2和2-（2-羟基苯基苯并噻唑）-（1，10-邻菲罗啉）合钙Ca（BTZ）2phen。通过红外光谱、紫外-可见光吸收光谱、
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、
采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜（CuPc）和富勒烯（C60）构成的平面异质结结构光伏器件，并初步研究了CuPc薄膜生长速率对器件光伏性能的影响，我们发现以较大薄膜生长速率制备的