现代经济社会的发展离不开能源。化石能源的开采已接近枯竭,绿色环保的可再生能源逐渐成为能源领域的重要角色。其中,太阳能作为最......

ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强,对衬底没有苛......

Zn_(1-x)Mg_xO是一种新型Ⅱ一Ⅵ族宽禁带三元化合物半导体材料。在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。这种材料......

利用射频磁控溅射技术在(100)Si和玻璃衬底上沉积系列Mg掺杂ZnO(x=0~0.20)薄膜,XRD分析结果表明,Zn1-xMgxO薄膜均为六角纤锌矿结构......

用射频磁控溅射制备Zn_(1-x)Mg_xO薄膜,通过对不同溅射功率制备的薄膜结构和薄膜的室温透射谱和光致发光光谱的分析,得到溅射功率......

采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体......

采用溶胶-凝胶技术,在Si（110）衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄......

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO（x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6）薄膜。X射线衍射谱测试结果发现,在0.1〈x〈0.3范围......

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Zn1-xMgxO（x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6（mol））薄膜.X射线衍射谱测试结果发现,在0.1〈x〈0.3范围......

Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料，近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的P型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的......

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本文通过在ZnO靶材上放置高纯Mg片,运用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO（x=0.1,0.16,0.18,0.24）薄膜。用X射线衍射仪......

利用超声雾化热分解技术，在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85％以上。X射线衍射的测......

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基板上制备了Zn_（1-x）Mg_xO薄膜,研究退火温度对高Mg含量Zn_（0.5）Mg_（0.5）O薄膜的相组成、相偏析及紫外-可见......

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅺ族宽禁带隙(3.30eV)氧化物半导体材料。具有较大的激子束缚能(～60meV)，可以实现室温下的紫外受激辐射，是一种很有前......

多色响应薄膜在灾难监测、城市消防和安防领域有着重要的意义,本文在脉冲激光沉积(PLD)的方法下制备ZnMgO_BST双色响应薄膜,制备方......

作为一种新型的直接带隙半导体材料,ZnO具有大的禁带宽度3.37eV和高的激子束缚能60meV,同时,ZnO可通过适当的金属元素掺杂,在对其......