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本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.
MOCVD制备GaAs／AlGaAs异质结和异质结双极晶体管（HBT）...
【摘 要】
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本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所济南250100,济南250100,济南250100
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1991年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目
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