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报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm~(-2),局部无位错。
应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶
【摘 要】
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报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—G
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年3期
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