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本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究。结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ。器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小。此方法与常规ＭＯＳ工艺兼容，所需的设备结构简单、操作方便，价格低廉，易于推广到ＶＬＳＩ中去。
利用电子束掺杂技术制备微米,亚微米P—MOSFET器件
【摘 要】
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本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究。结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ。器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小。此方法与常
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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