论文部分内容阅读
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压,降低了漏电电流,改进了器件参数空间分布的均匀性.我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器.
高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用
【摘 要】
：
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压,降低了漏电电流,改进了器件参数
【机 构】
：
香港科技大学
【出 处】
：
液晶与显示
【发表日期】
：
2002年5期
其他文献
通过测量调制传递函数评价彩色LCD的图像质量是一种新方法.测量系统由线性电荷耦合元件组成.白点的扫描宽度由LCD的特性确定.实验结果表明,调制传递函数测量方法对于彩色LCD
用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成.结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含
CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀.将应用于制造荫罩的精密光刻精细腐蚀技术引伸应用到平板显示、微电子、微机械等领域,可以制作出高精度OLED金属掩膜版,LCD、PDP光学掩
将光学外差法应用于液晶器件扭曲角与光延迟的测试，提出了测试系统的光路简图，推导出了外差式测试方程，并对此方程进行了数值模拟与分析。此方法将液晶层的相位差转化为光学拍频
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基
为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热
评述了有机EL屏制作技术问题.有机EL显示器是由几种技术综合制成的,例如,IC驱动技术、ITO前期处理及阴极形成技术等,介绍了全色OEL显示屏制作工艺技术、各类显示屏的性能比较
将具有光敏特性的预聚物与向列相液晶按一定比例混合,以Ar+激光器为光源,使混合物在激光干涉光场的引发下发生光化学反应,从而导致液晶与预聚物发生相分离,形成全息液晶/聚合