【摘 要】
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通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小
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通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
The influences of silicon oxygen, nitrogen, carbon content and state, as well as silicon surface damage on the flexural strength of silicon wafers at room temperature were systematically investigated experimentally. The intrinsic relations between room temperature flexural strength and high temperature deformation resistance were discussed. It is put forward that the bending strength at room temperature can reflect the anti-deformation ability of silicon wafer at high temperature.
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