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采用纯ZrW2O8陶瓷靶材，以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、划痕仪和表面粗糙轮廓仪研究了薄膜的相组成、表面形貌、薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度，试验结果表明：磁控溅射制备的薄膜为非晶态，在740℃热处理3min后得到三方相ZrW2O8薄膜，在1200℃封闭试样的条件下热处理8min淬火得到立方相ZrW2O8薄膜；随着热处理温度的提高，薄膜的晶粒逐渐长大，平滑致密的表面出现了一些孔洞和缺陷，同时薄膜与基片之间的结合力也逐渐降低。