【摘 要】
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英特尔于美国时间1月27日宣布了它在45纳米芯片制程开发上的重大进展——通过采用全新铪基高-K栅介质和金属栅极材料,新制程在增强晶体管性能的同时,也减少了漏电量,从而可让
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英特尔于美国时间1月27日宣布了它在45纳米芯片制程开发上的重大进展——通过采用全新铪基高-K栅介质和金属栅极材料,新制程在增强晶体管性能的同时,也减少了漏电量,从而可让处理器的性能功耗比更上层楼。
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