【摘 要】
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利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。
【机 构】
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长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
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利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果
GaAlAs / GaAs gradient refractive index confined single quantum well structure materials were respectively grown by molecular beam epitaxy. Fluorescence spectra, twin crystal X-ray diffraction and electrochemical capacitance-voltage distribution measurements were performed on the samples. The experimental results show that the sample quality meets the design requirements. Preliminary results have been obtained with laser diodes fabricated using this material
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The ZnSepn structu
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