发光带相关论文
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
谁没听人說过有关在坟地或沼泽地上,偶尔可以见到深奥莫测的鬼火啊!这种现象,对缺乏科学知識的人来說,会感到可怕和不可理解。但......
纳米材料的制备已成为当今材料领域的一个热点,探索条件温和、形态和粒径及其分布可控、产率高的制备方法是这方面研究的首要任务......
“结”的构筑,被证实是提高电荷分离效率的重要策略,在太阳电池、光催化等领域有广泛应用.跟踪研究异质结、异相结处的电荷转移动......
用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。根据ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光......
本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质．通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究．
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测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光......
用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅｐｎ结构．由电子束感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子阱为发光层的......
对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱......
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品，并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度，而且在室温空气存放过程中其发光......
云龙锡矿的锡石,能隙值Eg为3.647～3.942eV,阴极射线发光光谱是Ti,W引起的杂质发光。根据发光谱中发光带的强度和波长特征,可将云龙......
发光沥青分析中“毛细条发光带的长度与沥青含量的关系”这一研究任务,64年局镇江实验会议上决定由我队实验室来完成。为此我们在......
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外。多孔硅被氧......
采用激光诱发（时间分辨）光致发光（LPL）技术对产自阿富汗、巴西、哥仑比亚、尼日尼亚、俄罗斯、赞比亚的六颗天然祖母绿和一颗水热法合......
对于所有的主人来说,“撒手没”实在是一件令人十分头疼的事,尤其是那些活泼好动的小家伙们。在夜间遛狗,眼睛更是没有一刻闲着的......
发光楼梯 广东省东莞市厦岗小学五(2)班 巫文鑫 三(3)班 朱佳锐 指导老师：段玉荣 楼房里突然发生火灾等紧急情况，通道......
以Ti(SO4)2为前驱体,采用沉淀法制备了二氧化钛纳米晶,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)光谱对微晶进行表......
用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
用胶体化学方法制备了ＢａＴｉＯ３超微粒，用Ｌ－Ｂ膜技术组装了文题的复合膜，用π－Ａ曲线，ＡＦＭ，紫外－可见吸收光谱和荧光光谱对其进行表征。ＢａＴｉＯ３超微粒在复合膜中是比......
采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果......
采用射频磁控溅射法,在石英衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.00～0.16)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光......
在７７－３００Ｋ温度下研究了Ｚｎ（１－ｘ）ＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）的光致发光特性．首次在７７Ｋ，Ａｒ离子激光器的４５７．９ｎｍ激发下，在Ｚｎ（０．６８）Ｃｄ（０．３２）Ｓｅ－ＺｎｓｅＭＱＷｓ中观测到５个发光带，其中三个发光带被归因于不同的激子发射：即ｎ＝１重空......
在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性......
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带......
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜......
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的......
采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,......
本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强......
由中国科学院上海技术物理研究所承担的钛酸锶钡铁电薄膜材料研究项目已于2000年12月通过中国科学院上海分院主持的鉴定会的鉴定,......
本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明......
测量了多种淀积条件下的a-Si:H样品的吸收边和光致发光光谱及其在退火过程中的变化;结合这些样品的红外吸收测量,证明这种材料两带......
稀土离子掺杂的Ⅲ—Ⅴ族发光及激光器材料,由于具有不随温度变化稳定纵模工作的特点,特别是用 Er~(3+)的1.54μm光谱作光源而引起......
The emission band around 2.268eV on the low temperature photolumi-nescence spectra of GaP:N doped with tellurium has bee......
研究了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜77～200K的光致发光光谱。在77K首次观察到了CdTe的自由激子第一激发态的发光峰1.588eV。热壁外延......
在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了......
在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温......
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原......
叙述在原有手动天线转换阵列系统的基础上实现全自动电脑操作与实时显示的技术要点，介绍在某发信台使用该系统的结构及工作原理。
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发光滑雪板夜间滑雪稍有不测,叫天天不应,叫地地不灵,就算救援人员赶到,也难以找到失事者。这条LCD发光带可以贴在滑雪板的表面上,......
