【摘 要】
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一、前言众所周知,锑化铟(InSb)是一种直接的小禁带宽度半导体。其禁带宽度在室温下为0.17电子伏,当用液氮冷却时,可展宽到0.23电子伏。相应的长波限分别为7微米和5.5微米。
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一、前言众所周知,锑化铟(InSb)是一种直接的小禁带宽度半导体。其禁带宽度在室温下为0.17电子伏,当用液氮冷却时,可展宽到0.23电子伏。相应的长波限分别为7微米和5.5微米。它是3至5微米红外波段的一种很重要的探测器材料。锑化铟红外探测器有三种基本的
I. Preface As we all know, indium antimonide (InSb) is a direct semiconductor with a small band gap. Its bandgap is 0.17 eV at room temperature, broadening to 0.23 eV when cooled with liquid nitrogen. The corresponding long-wave limits are 7 microns and 5.5 microns, respectively. It is a very important detector material in the infrared band of 3 to 5 microns. Indium antimonide infrared detector has three basic
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