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采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AIN薄膜．在分析Berg迟滞模型的基础上，提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积C轴择优取向AIN薄膜的工艺方法．采用此种方法制备的AIN薄膜，在20W／cm^2射频功率密度的情况下沉积速率达到2．3μm／h，远高于有关研究报道数据，获得的AIN薄膜（002）面X-射线衍射峰半高宽仅为0．3°，显示出薄膜具有良好的择优取向．