Nd:YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:CT1978
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用有限差分法对使用Cz(Czoehralski)法生长Nd:YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd:YAG晶体生长系统的数学模型,然后对上述数学模型进行无量纲化处理,最后给出相应的边界条件,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序。仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响。
其他文献
【正】 一、系统总体设计和V1.0版本的研制随着我国电子计算机工业的发展,以及微型计算机的普及,我国公共图书馆的自动化事业进入了一个新的历史发展时期。以国产微机(包括进
【正】 专科学校顾名思义,就是专门传授某一学科的基础理论与方法,培养大专人才的高等学校。根据学校的专业特点,培养目标和教学任务,图书馆制定了明确的工作方针与任务。然
以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm.它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依
利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的光学性质.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显
ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60 meV,远大于室温热离化能(26 meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外发射材料.ZnO半导体量
报道了一种新型可作为掺铒光纤放大器(EDFA)基质材料的Er3+掺杂B2O3-SiO2-Gd2O3-Na2O(BSGN)体系玻璃及其玻璃陶瓷.对材料中铒的4I13/2→4I15/2跃迁的1.5 μm发射光谱、吸收光
通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH-PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响.在THF稀溶液中,MEH-PPV分子链基
为满足正在兴起的LED照明光源的设计优化要求,必须探索适合LED光学结构设计的有效方法。引进蒙特卡罗(Monte Carlo)随机模拟方法对常规形式发光二极管(LED)的光学封装结构进行
利用聚氧化乙烯(PEo)对ZnO表面进行修饰,研究有机包覆对ZnO光学性质的影响.用吸收光谱和光致发光光谱来表征和研究PEO包覆对ZnO纳米粒子光学性质的影响.吸收光谱结果表明随着