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采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上,于较低的衬底温度(400 ℃)下,制备出良好结晶.经对样品进行的X射线衍射(XRD),以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)检测,证实该沉积薄膜为立方碳化硅.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所获样品晶粒大小为纳米尺度.
热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜
【摘 要】
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采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上,于较低的衬底温度(400 ℃)下,制备出良好结晶.经对样品进行的X射线衍射(XRD),以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)检测,证实该沉积薄膜为立
【机 构】
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南昌大学,江西工业工程职业技术学院
【出 处】
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南昌大学学报(理科版)
【发表日期】
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2005年2期
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