论文部分内容阅读
本文综述了近年来砷化镓材料质量表征技术的新进展，包括半绝缘砷化镓体单晶和外延薄膜材料两个方面。着重指出了材料表征技术时材料研制和器件应用的重要作用。
砷化镓（GaAs）材料质量表征技术的新进展
【摘 要】
：
本文综述了近年来砷化镓材料质量表征技术的新进展，包括半绝缘砷化镓体单晶和外延薄膜材料两个方面。着重指出了材料表征技术时材料研制和器件应用的重要作用。
【机 构】
：
电子部４６研究所
【出 处】
：
半导体杂志
【发表日期】
：
1995年4期
其他文献
本文提出了一种有源衰减器，并探讨了这种有源衰减器对ＭＯＳＧｉｌｂｅｒｔ单元输入范围的改善。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，该有源ＭＯＳ衰减器结构简单，原理正确并且有较宽的线性输入范围。
采用有机化合物和金属氧化物，按比例均匀混合制成液状ＳＭ材料，涂敷于器件台表面上，经过高温固化，形成坚硬、高密度、不透气的白色固体绝缘保护层。该保护材料经电性能检测和在Ｋｐ５００Ａ晶闸管
由于经济福利的改善、农业生产率的提高、消费者健康意识的增强和食品安全危机等多重影响,欧盟消费者对食品的偏好特征发生了改变,推动了欧盟农业和食品政策关注点从传统的供
【正】 又一个隆重热烈,扎实有效,丰富多彩的“119”消防宜传日活动在陇原大地再度辉煌。全省各地十分重视“119”活动,认真落实甘公消[1994]60号通知精神,普遍做到了动手早
利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足
通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ脊形光波导中的ＴＥ模式的理论分析与计算，得出了不同内脊高ｂ对应的脊宽Ｗ与外脊高ｈ的关系曲线。为这种脊形光波导的结构设计提供了可以信赖的依据。
采用Ｌ．Ｌ．Ｐ提出的方法，在理论上研究了声子之间相互作用对ＡｌＳｂ内极化子性质的影响。结果表明：当动量趋于零时，声子之间的相互作用对极化子性质无影响，当动量达到某一值时，声子之间相互作用的
采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量，声子平均数，讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明：当动量