铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光

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在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 In a-Si: H and a-SiCx: H, a total of rare earth erbium and oxygen injection. After thermal annealing at 300 ℃ and 400 ℃, the photoluminescence of 1.54μm from the 4f electron transition of Er3 + in the luminescent center was measured. 400 ° C is a better annealing temperature. With the increase of carbon content, the luminous intensity gradually decreased, which may be due to the introduction of carbon to weaken the gap oxygen annealing migration.
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