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东芝电子近日推出具备低导通电阻、大电流、高容许损耗的新封装功率MOSFET—TPCM8001—H。这种名为TSSOP Advance的新型封装与TSSOP-8封装面积相同，新型封装有助于实现小型化、轻量型及延长工作时间。TPCM8001-H功率MOSFET封装厚度为0．75mm(典型值)，具有扁平引脚。该器件通过采用Ar母线技术，