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用线性Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨 道能带计算方法对匹配超晶格（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（ｎ＝２－５）系统进行超元胞自治计算。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为１．４４ｅＶ。（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（１１０）超晶格的光吸收峰结合了 体材料ＺｎＳｅ和Ｇｅ光吸收峰的特点。
（ZnSe）n／（Ge2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质
【摘 要】
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用线性Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨 道能带计算方法对匹配超晶格（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（ｎ＝２－５）系统进行超元胞自治计算。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为１．４４ｅＶ。（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（１１０）超晶格的光吸收峰结合了 体材料ＺｎＳｅ和Ｇｅ光吸收峰的特点。
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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