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采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜。经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小。随着退火温度的升高,氧化镓薄膜逐渐形成了（401）择优取向,薄膜的光学带隙也随之变大,在750℃退火时得到了最大的光学带隙为4.79eV。