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RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiqi251305430
【摘 要】
:
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5~7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和
【作 者】
:
梁惠来
郭维廉
宋瑞良
齐海涛
张世林
胡留长
李建恒
毛陆
【机 构】
:
天津大学电子信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2007年10期
【关键词】
:
RTT
RTD
HEMT
跨导截止频率
电流峰谷比
RTT
RTD
HEMT
transconductance cut off frequency
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对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5~7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
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