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研究了高质量超薄氮化硅／氮氧化硅(N／O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性，制备了栅介质等效厚度小于2nm的N／O复合叠层栅介质，该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流．实验表明这种N／O复合栅介质与优化溅射W／TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景．
超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性
【摘 要】
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研究了高质量超薄氮化硅／氮氧化硅(N／O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性，制备了栅介质等效厚度小于2nm的N／O复合叠层栅介质，该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流．实
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年4期
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