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对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。
位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
【摘 要】
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对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。
【机 构】
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南京大学物理系
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2001年4期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金
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