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借助射频磁控溅射成功制备了 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对 AlN 薄膜压电性能和 FeCoSiB 薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500 ℃退火处理的 AlN 薄膜具有高度（002）择优取向和柱状生长结构; 经过 300 ℃退火后 FeCoSiB 薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数（αCME）在偏置磁场（Hdc）为 875 A/m 时达到最大值 62.5 A/（m·V）; 且磁感应强度（B）随交变电压（Vac）的变化呈现优异的线