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用溶胶-凝胶法制备了Ga2O3-NiO复合金属氧化物气敏材料,对其相组成、电导和气敏性能作了研究.结果表明:镍镓物质的量比n(Ni2+):n(Ga3+)=0.7～0.9:2、800℃下热处理4h,得到纯相尖晶石型复合金属氧化物NiGa2O4.缺陷GaNix的反应(GaNIx→GaNi′h·),使NiGa2O4呈p型半导体.n(Ni2+):n(Ga3+)=1:2凝胶粉在800℃下热处理4 h,所得纳米微粉制作的元件在313℃工作温度下对C2H5OH有较高灵敏度和良好的选择性.