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采用质量分离的低能双离子束淀积（IBD）技术，在硅（111）衬底上共 淀积，生长了氧化铈外延薄膜。椭圆偏振仪测得，膜厚2000A°。俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比。X射线双晶衍射得到明显的氧化铈（111），（222）峰，半高宽≤23″.
用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜
【摘 要】
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采用质量分离的低能双离子束淀积（IBD）技术，在硅（111）衬底上共 淀积，生长了氧化铈外延薄膜。椭圆偏振仪测得，膜厚2000A°。俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所半导体
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年2期
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