【摘 要】
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硅片直接键合技术是制备SOI材料的有效途径,其关键工艺是对SiO_2表面进行活化处理。本文报道用 AES、XPS 和 IR 分析研究不同条件氧等离子体处理对 SiO_2表面结构和性质的影
【机 构】
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南京通信工程学院,东南大学微电子中心
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硅片直接键合技术是制备SOI材料的有效途径,其关键工艺是对SiO_2表面进行活化处理。本文报道用 AES、XPS 和 IR 分析研究不同条件氧等离子体处理对 SiO_2表面结构和性质的影响。结果表明,SiO_2经氧等离子体处理后,活性氧和电子破坏了硅氧桥结构,导致表面活化,易于吸附OH~-和 H~+离子,表面腐蚀速度增大。用处理后的硅片实现了不加压的键合,获得了性能优良的 SOI材料。
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