【摘 要】
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采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬
【机 构】
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长沙理工大学化学学院.湖南长沙410114,湖南神州光电能源有限公司技术研发部
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(20976016);长沙市科技局重点攻关资助项目(K1001020-11)
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采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
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