碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能

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用液相外延的方法在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe材料,获得了表面形貌好,位错密度低,组份均匀的碲匐汞外延材料,生长工艺对材料的参数控制有较好重复性,外延材料经热处理后,材料的P型和N型电学参数都达到较好的水平,并具有良好的可重复性。
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