二维电子相关论文
近年来，有机光伏器件取得了长足的进步，单节器件的效率已经突破13％，接近商用所需的效率阈值。富勒烯及其衍生物是传统有机光伏器件......
为解释以往在GaAs/n型AlGaAs异质结中所观测到的负平行磁阻现象(NPMR),本文首次提出了一新物理模型。在平行界面的磁场中,二维电子......
在强磁场和低温下,二维电子的运动被量子化,形成一系列朗道能级.在同一朗道能级中,电子间的相互作用导致了分数量子霍尔效应的产生......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关......
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产......
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具备诸多优良的性质，如临界击穿电场大、二维电子气(2DEG)浓度和电子迁移率高、耐高温、抗......
学位
AlGaN/GaN HEMT结构材料和器件的研究具有重要的军用和民用价值，在相控阵雷达、电子对抗、卫星通讯、灵巧武器、通信基站、航空航天......
学位
研究在液氦薄膜表面上与涟波子(ripplon)相互作用的二维电子的性质。采用线性组合算符和拉格郎日乘子法，导出了强、弱耦合两种极限......
日本首都大学东京研究生院的一个研究小组,发现了一种新型层状超导体,传导层由铋、银、锡、硫和硒构成,转变温度为3K(开尔文)。这......
根据超对称量子力学及其与(1+2)维时空中费米子与规范场相互作用的 Dirac 方程的等价性求出了在强磁场中作相对论性运动的二维电子......
河北省香河县质监局目前已将入网企业使用的二维电子监管码转换成为一维电子监管码，监管码表现形式转换后，入网企业可以根据企业的实......
本文从几个方面介绍在液氦表面上二维电子系统中所取得的进展：（1）液氦表面上电子这一理想的二维电子系统的形成；（3）近年来对液氦表面上二......
2.1可靠性研究的进展在半绝缘SiC衬底上形成的GaNHEMT器件在高功率密度、高压工作、高的二维电子器浓度和高导热等方面均比GaAs有......
势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏......
