【摘 要】
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为了提高静电聚焦型微通道板光电倍增管探测效率,重点研究微通道板的探测效率。分析影响微通道板对电子探测效率大小的主要因素,利用微通道板探测效率的理论模型,考虑在垂直
【机 构】
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河南大学物理与电子学院,中国科学院高能物理研究所实验物理中心,核探测与核电子学国家重点实验室,南京大学物理系,北方夜视技术股份有限公司南京分公司
【基金项目】
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中国科学院先导专项A江门中微子实验课题资助项目(XDA10010400).致谢 在模拟计算过程中,得到了中国科学院西安光学精密机械研究所的陈琳和北方夜视技术股份有限公司南京分公司的王兴超等同事的帮助和支持,在此一并感谢.
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为了提高静电聚焦型微通道板光电倍增管探测效率,重点研究微通道板的探测效率。分析影响微通道板对电子探测效率大小的主要因素,利用微通道板探测效率的理论模型,考虑在垂直入射到输入面的情况下,模拟计算出不同能量(E_e〈1 keV)的入射电子打入非开口区对探测效率的贡献,结合开口区域的探测效率,即获得微通道板总的探测效率,并把模拟计算结果与实际测量相比较,两者基本一致;通过在微通道板的输入端面和通道内壁蒸镀高二次电子发射系数的材料、改变电极蒸镀方式和增加开口面积比,获得接近100%的探测效率,进而有效地提高了这种
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