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用低压预处理液相外延方法在Ｓｉ衬底上生长了ＧａＰ外延层，解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题，从外延层中Ｓｉ的含量，固相组分的化学计量比，表面形貌等方面来比较，以Ｓｎ为生长熔体好于Ｇａ或Ｉｎ。外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的庆力场分布不均匀造成的，位错腐蚀结果证明了这种分析，ＬＰＥ生长的ＧａＰ／Ｓｉ片光致发光峰值波长为５４０ｎｍ。