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本文研究了各种实验参数对O－SIMS和Cs-SIMS中GaAs二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对GaAs二次离子发射的增强效应。实验表明，与Ar-SIMS不同，O－SIMS和Cs-SIMS中随Ep增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：10^-3Pa，二次离子能量分布测量表明，对O－SIMS，二次离子强度在Vbias=30V左右达到最大值，对Cs-SIMS,二次离子强度在Vbias=-20V左右达到最大值。