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详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器（DRFM）系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试,利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺，采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC,测试结果表明，该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化，达到1．2Gbps的输出码流速率，其瞬时带宽可达150MHz,具备±0．22LSB的相位精度。