GaAs/AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Alexandratj
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对三种不同生长条件、不同质量的GaAs/AlGaAs单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究.在低迁移率的样品中,界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用.我们的研究也表明了:采用(GaAs)4/(AlAs)2超晶格代替常规的AlGaAs层,或在异质结界面生长过程中的停顿,都能有效地减少界面粗糙度. The transport properties and photoluminescence spectra of GaAs / AlGaAs single quantum wells with different growth conditions and different mass were studied. In low mobility samples, interfacial roughness plays a dominant role in the scattering of two-dimensional electron gas. Our research also shows that the interfacial roughness can be effectively reduced by replacing the conventional AlGaAs layer with (GaAs) 4 / (AlAs) 2 superlattice or with the pause in the growth of the heterojunction interface.
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