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本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。
多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析
【摘 要】
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本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的
【机 构】
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陕西机械学院半导体器件教研室,陕西机械学院半导体器件教研室西安710048,西安710048,西安710048
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年5期
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