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制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置，即使传统冷热探针由原来固定的温度差改进为数值可变的量，作出p、n型硅半导体样品的温差电动势随冷热探针温度差的变化关系，进而测出了样品的导电类型，并且发现温差小于120℃时温差电动势与温差成正比，对上述结果做了理论分析。最后，提出了一种测半导体掺杂浓度的实验测量方法。该测量半导体掺杂浓度的方法与其他测量方法相比计算简淖，实验装置造价低廉。